多晶硅环的化学机械抛光方法

    成果编号：9642024Y0849
    第一完成单位名称：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
    联系人：熊欢 联系人电话：15729599459
    成果简介：
    多晶硅环的化学机械抛光方法通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶元表面微米/纳米级不同材料的去除，是目前唯一能兼顾表面全局和局部平坦化的技术，但是，现有的多晶硅环的化学机械抛光方法仍然存在抛光效率低及抛光合格率低的问题，本发明主要目的在于提供一种多晶硅环的化学机械抛光方法，实现硅环表面的高度平坦化以及将硅环表面的破损层厚度降低至纳米级，抛光方法后硅环平面度＜20μm，破损层DOD=0um。