成果编号:9642024Y0053
第一完成单位名称:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
联系人:赵泽慧 联系人电话:13649583801
成果简介:
此成果涉及一种能够提高重掺磷低电阻整棒率的方法,包括:提供单晶炉;提供安装在上述单晶炉内的分体式加热器;在单晶拉制过程中,主加热器和辅助加热器以预设比例功率进行加热。采用主加热器和辅助加热器的上下分体结构、以及以上述预设比例功率进行加热的方法,在拉晶过程中随着坩埚逐渐抬升,通过辅助加热器的发热量来加大对坩埚内一边减少一边逐渐随坩埚逐渐抬升的熔体液面的辐射,更重要的是对固液界面附近的辐射,改善熔体对流,从而增大掺杂剂在硅熔体中的扩散,避免分凝作用产生的组分过冷现象,使晶体生长界面变得稳定,利于单晶生长,使拉晶的整棒率得以提升,从而提高效率,降低成本。