成果编号:9642024Y0008
第一完成单位名称:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
联系人:赵泽慧 联系人电话:13649583801
成果简介:
此成果提供一种降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法,属于硅片加工技术领域,在晶棒拉制时,通过控制晶棒的拉速以控制晶棒的生长界面,将凹向溶体的生长界面控制为水平状或凸状,以使晶棒生长界面的凝固时间相同,进而在垂直生长轴方向的切割方向上,径向的凝固时间相同,使得杂质在各点的浓度一致,进而在CP腐蚀后的Wafer表面不会出现同心圆或偏心圆环纹,使得产品的良率不会被降低。