一种提高<100>单晶成活率的放肩方法

    成果编号：9642023Y1120
    第一完成单位名称：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
    联系人：赵泽慧 联系人电话：13649583801
    成果简介：
    单晶制造是将硅料熔化，然后运用提拉技术将多晶转换为无位错单晶的过程，但是在多晶转化为单晶的过程中因某些原因会产生位错，则晶体失去单晶性质转为多晶，此时长晶失败(称之为NG)。现有技术中，在制备<100>晶向的单晶时，一般在<100>晶向放肩方法中，肩部可见四条由facet形成的隆起脊带，导致<100>晶向的单晶放肩NG率高，尤其是重掺极低电阻率单晶的拉制表现尤为显著。有鉴于此，此成果提供一种提高<100>单晶成活率的放肩方法，以解决现有技术中<100>晶向放肩方法会产生四条由facet形成的隆起脊带，导致放肩NG率的技术问题。