成果编号:9642023Y1110
第一完成单位名称:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
联系人:赵泽慧 联系人电话:13649583801
成果简介:
此成果提供重掺砷晶体生产中抑制重掺砷晶体电阻率反翘的方法,涉及硅单晶生产技术领域,在晶棒进入等径拉制时,通过在预定等径长度内调整晶体的结晶速率、温度进行晶棒拉制,此成果通过温度变化,保证晶体的结晶速率能够下降,从而降低在预定等径长度内晶棒的结晶速率,使得在预定等径长度内晶棒的结晶速率下降缓慢,使得晶棒在预定等径长度内结晶时间缩短,并且在保证不会发生晶变的情况下,一方面,使得砷的挥发作用小于其分凝作用,使得单晶电阻率沿晶棒的轴向从高到低分布,进而晶棒电阻率不会发生反翘;另一方面,使得单晶电阻率沿晶棒的轴向从高到低分布,由此能够明显提升电阻率0.003Ω.cm以下的产品比例。