应用于汉虹单晶炉的单晶退火产品的生长方法

    成果编号：9642023Y1049
    第一完成单位名称：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
    联系人：赵泽慧 联系人电话：13649583801
    成果简介：
    本发明提供一种应用于汉虹单晶炉的单晶退火产品的生长方法，属于单晶退火工艺的技术领域，在单晶炉内设置内热屏、水冷套，所述内热屏位于硅溶液的上方，所述内热屏的下端内壁与单晶炉中轴线形成的角度为22 .5°～30°，所述水冷套位于所述内热屏的上方，所述水冷套与所述
单晶炉的内壁连接，所述水冷套距硅溶液液面的高度为100mm?300mm；在单晶炉内通入氩气，将单晶棒从硅溶液中拉出的拉速为1mm/min～1 .5mm/min，在单晶炉内建立有温度梯度的热环境，当单晶棒从硅溶液中拉出的过程中，晶棒的边缘温度与中心温度接近，使得将单晶棒从硅溶液中以预定的拉速拉出，使得整个晶棒在降温凝固时生长的界面更加趋于平坦，更加有利于高密度、颗粒直径小的COP形成。