45-28nm配线用Ta材料规模化生产技术与品质提升

　　该项目在国家重大科技02专项支持下，攻克了半导体用4N5钽靶材成套制造技术，实现了钽矿石→K2TaF7→钽粉→高纯钽锭→钽靶坯→钽靶材各段制备技术的突破、贯通、提高；建成了一条年产 150 吨 4N5 钽原料和 30 吨满足45-28nm 配线用 4N5 高纯钽材料生产线，实现了从原料到靶材的自主供应；建成了一条钽靶材规模化生产线，产品在半导体45nm-28nm 技术节点实现批量应用；项目核心原理及技术推广应用到其它靶材的制备工艺中，推动了铝、钛、铜等金属溅射靶材的研发与产业化进程。

　　项目主要科技创新有：（1）发明了多维静压锻造、交叉与倾斜（WR）轧制、高真空梯次升温和快速升温退火等技术，钽靶坯性能优于美国和日本企业控制水平；（2）发明了多级萃取-大颗粒重结晶除痕量W、Mo、Nb及双项可控搅拌K2TaF7钠还原除O、Fe、Ni、Cr、K、Na等技术,高纯钽锭杂质含量低于美国或日本公司；（3）发明了大面积异种金属扩散焊接结合技术，焊接结合率和美国、日本公司处于同一技术水平；（4）发明了适用于高纯低硬度钽环件的高精加工技术，保产品形位公差和表面质量与国际领先水平同步。

　　近三年，累计新增产值69622万元，新增销售额67989万元，新增利润5739万元。项目申请发明专利15项，其中获授权专利13项（含PCT1项），制定行业标准2项，发表论文5篇。