AlGaN基深紫外LED器件可靠性及失效机理研究

    成果编号：9642024J1100
    第一完成单位名称：宁夏大学
    联系人：田真 联系人电话：13995180418
    成果简介：
    AlGaN基深紫外LED在消菌杀毒、高密度数据存储、医疗诊断等领域具有潜在的应用前景。然而，其在使用过程中，光电性能的稳定性差，制约着AlGaN基深紫外LED的进一步市场应用。本项目围绕深紫外LED的衰减行为、失效机理，以及AlGaN量子阱结构因应力形成缺陷的位置和相关特征等内容开展了系统研究，搭建了深紫外LED电应力和热应力的老化测试平台，比较研究了电应力和热应力条件下深紫外LED光电性能的衰减行为，发现影响其性能变化的主要影响因子是电流因子而不是温度因子。通过光致发光、阴极荧光等方法，系统研究了应力前后深紫外LED量子阱结构的主发光峰和缺陷峰等特征，阐明了电应力下深紫外LED光学、电学特性的退化行为，揭示了电应力下深紫外LED器件性能退化的物理机理。已发表SCI论文3篇，申请专利2项，培养研究生3名。