成果编号:9642024J0663
第一完成单位名称:宁夏大学
联系人:谢铁娜 联系人电话:13629575324
成果简介:
项目通过提高掺锗浓度来提高 VO2粉体和薄膜相变温度和电学性能的限制,但发现单独加入 GeO2缓冲层对 VO2薄膜相变温度提高的有限;因此,也通过掺锗和加入 GeO2缓冲层可以协同提高 VO2薄膜相变温度,两种方法协同调制 VO2薄膜相变温度时,二者对相变温度的提升效果会发生叠加效果。本项目成果探索出来的可以制备出刚好满足微电子领域传感器件电学性能的高质量掺锗薄膜的工艺,也可以作为参考应用在其他掺杂 VO2薄膜中。通过本项目实施,发表论文3篇,其中SCI论文2篇,申请1项国家发明专利。