高品质氩气退火单晶硅产品研发

    成果编号：9642024Y0483
    第一完成单位名称：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
    联系人：白园 联系人电话：15202600492
    成果简介：
    一、项目研究了含氧量、掺氮、热处理工艺、气氛对单晶硅片体内微缺陷的影响机理，获得一种消除硅片中空洞型微缺陷并形成清洁区的退火工艺。提高了硅片和器件的性能。同时降低了单晶硅的热预算，对自治区经济社会发展具有重要的支撑作用，并且可以提高我国大直径单晶硅制备技术水平。通过解离硅片中额外的硅原子来填充空洞型微缺陷的方法具有一定的创新性，项目在执行过程中，获得授权发明专利1件，实用新型专利2件，申请发明专利1件。项目已在新产品中推广应用，取得了一定的经济效益。