一种还原工艺用二硅中碳杂质含量控制方法及系统

    成果编号：9642024Y0241
    第一完成单位名称：宁夏润阳硅材料科技有限公司
    联系人：陈朝霞 联系人电话：15299087781
    成果简介：
    本发明专利涉及一种还原工艺用二硅中碳杂质含量控制方法及系统，将回收氯硅烷通入分离一塔分离处理，将补充TCS和回收TCS通入分离二塔进行除碳处理，将第一回收DCS、第二回收DCS和第三回收DCS通过专项吸附剂吸附除碳。通过分离一塔对回收氯硅烷进行分离处理，再对原料TCS进行深度除碳，避免原料TCS向还原工艺引入碳杂质，在回收DCS中无碳杂质引入增加的基础上，还会除去回收DCS中的碳杂质，确保原料DCS的纯度，还能够将循环累积的碳杂质通过回收DCS除碳步骤从还原工艺中去除，从而使得回收DCS无碳循环利用，防止因原工艺用二硅中碳杂质较多而影响多晶硅的纯度，进而使得所生产的多晶硅碳杂质含量低，品质高。