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通过改善 111 晶棒晶向偏离角改善硅片warp的方法

信息来源:宁夏科技厅  作者:  发布时间:2025-12-30  访问量:
    成果编号:9642024Y0236
    第一完成单位名称:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
    联系人:赵泽慧 联系人电话:13649583801
    成果简介:
    本成果属于单晶硅切片技术领域,通过改善 111 晶棒晶向偏离角从而改善硅片warp。本方法通过在掏籽晶过程中保持拉制单晶硅晶棒所用成品籽晶的 111 晶向的偏离度为1.5°±0.5°,并保持晶棒的旋转角的变化范围在±5°之间,摆角在1.5°附近,进而保证在单晶硅多线切割过程中切入点的旋转角稳定,进而显著降低硅片的warp值4-8μm,降低各批次间的warp值波动,改善硅片的面方位精度。

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