GaSb基磁性半导体第一性原理研究

    成果编号：9642023J0289
    第一完成单位名称：宁夏大学
    联系人：林雪玲 联系人电话：13995116713
    成果简介：
    该项目首次利用应变的方法调控过渡族金属掺杂GaSb的电子结构和磁学性质，第一性原理研究发现应变可有效调控Fe掺杂GaSb体系的磁矩及铁磁耦合强度，当应变为0.5%时, 居里温达到最大值，当应变为0.6%时，居里温陡然降低，并且在0.6%~3%应变范围内，居里温度随着应力增加而逐渐降低，0.5%的应变可有效提高(Ga,Fe)Sb系统的磁耦合强度；提出可用拉伸应变实现高居里温度铁磁性半导体，为实验调控GaSb基铁磁半导体提供了一种新的手段和方法。该项目研究技术路线合理，研究方法科学，具有一定的创新性。项目发表论文9篇。