成果编号:9642023Y1039
第一完成单位名称:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
联系人:赵泽慧 联系人电话:13649583801
成果简介:
此成果提供一种单晶硅体内BMD的检测方法,包括预处理步骤,所述预处理步骤具体为:将原始硅片以第一预定升温速率加热至第一预定温度,通入第一预定气体,反应第一预定时间,进行预处理,得到有致密薄膜的原始硅片,以隔绝原始硅片内部间隙氧元素、空位向外扩散的途径;通过对硅片进行预处理阻止硅片内部间隙氧元素、空位向外扩散,并且使硅片内部空位、间隙氧扩散均匀,进而在热处理时在硅片内部生成均匀的BMD,因为硅片内部的BMD分布均匀,使得硅片在显微镜下进行BMD计数时不会因为密度区域选取而存在误差,从而BMD的检测数量更精确。